德国BEHLKE 高压开关 具有固定导通时间 通用MOSFET 正品

德国BEHLKE 高压开关 具有固定导通时间 通用MOSFET 正品

Behlke 产品组C3 - MOSFET，可变导通时间，低耦合电容

1）HTS 901-10-LC2，低电容MOSFET开关，采用高压瞬态LC2技术。该开关旨在满足
非常苛刻的工业要求。隔离电压> 150 kV      （可选高达300 kV）。内置控制单
元（可更换）。90 kVDC，100 A.导通电阻<40欧姆。开启上升时间<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但带有选件SEP-C（独立控制单元）和选件DLC（直
接液体冷却）。  

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET开关，带选件TH（管状外壳）和选件DLC（直接
液体冷却）。100 kVDC，200 A pk。，上升时间<50 ns，*大值 功耗30千瓦     




Behlke 产品组C4 - 沟槽FET，可变导通时间，高电流，低电阻

1）HTS 71-13-BC，紧凑型系列。*新的TRENCH FET技术，具有低导通电阻。7.8
kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，*新的沟槽FET，具有低导通电阻和高峰值电流。带可选铜散热片
（选件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，*新的Trench FET技术，具有低导通电阻和高峰值电流。23 kV
，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用选件CF-X2（散热片X2）和C-DR（驱动器散热
）   
  



Behlke 产品组C5 - MOSFET，可变导通时间，双极性，用于交流和直流电压

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和双极直流电压的MOSFET开关。紧凑型系列
。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和双极直流电压的沟槽FET开关。带可选铜散
热片（选件CF）和屏蔽输入（选件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，沟槽FET开关，用于交流，直流和双极直流电压。带可选铜散
热片（选件CF）和屏蔽输入（选件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各种MOSFET交流开关，30至70 kV / 100 A，带管状外壳（选件TH）和直接液
冷（选件DLC）。    




Behlke 产品组C6 - 具有可变导通时间，高电流的IGBT开关

1）HTS 61-160-FI，快速IGBT开关。可变导通时间200ns至无限。带有用于控制连接
的尾纤（选件PT-C）。6 kV，1600 A.导通上升时间<90 ns @Ip（*大值）。关断上
升时间<0.8μs。 

2）HTS 101-120-SI，标准IGBT开关。可变导通时间1μs至无限。10 kV，1200 A pk
。开启上升时间<150 ns @ Ip（*大值）。关断上升时间<5μs 。

3）HTS 241-240-SI，标准IGBT开关。可变导通时间200 ns至无限。带有可选的散热
片（选件CF）和法兰外壳（选件FH）。24 kV，2400 A pk。上升时间<150 ns @ Ip
（*大值）。 
  



Behlke 产品组C7-MCT开关具有可变导通时间，高电流

1）HTS 61-300-MCT，可变导通时间的晶闸管开关。6 kVDC，导通电流3 kA，关断电
流100 A.导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5μs。

2）HTS 101-300-MCT，可变导通时间的晶闸管开关。10 kVDC，导通电流3 kA，关断
电流100 A.导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5μs。

3）HTS 181-300-MCT，可变导通时间的晶闸管开关。18 kVDC，导通电流3 kA，关断
电流100 A.导通上升时间200 ns，关断上升时间1.5μs。  
 



Behlke 产品组C8 - 推挽式配置的MOSFET开关（半桥）

1）HTS 61-01-HB-C，MOSFET推挽式开关。紧凑型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。可
变HV脉冲宽度从50 ns到无穷大。2 x 6 kV，15 A.上升和下降时间<8ns。  

2）  HTS 81-06-GSM，MOSFET推挽式开关采用经济高效的塑料外壳。底部的HV接头
。可变HV脉冲宽度从150 ns到无穷大。2 x 8 kV，60 A.上升和下降时间<7ns。

3）HTS 201-03-GSM，MOSFET推挽式开关，带有可选的散热片（CF）和阻燃外壳，符
合UL94-V0（选件UL94）。 2 x 20 kV，30 A pk，上升和下降时间<10 ns 

4）HTS 301-03-GSM ，MOSFET推挽式开关，带选件FH（法兰外壳），DLC（直接液冷
），C-DR（驱动器冷却）和HFS（高频开关）。2 x 30 kV，30 A 
     上升和下降时间<20 ns，重复率> 100 kHz。采用DLC冷却，*大功耗可达6 kW
。尺寸330x120x75 mm。

5）HTS 1501-10-GSM， MOSFET推挽式开关，带选件FH（法兰外壳）和DLC（直接液
冷）。2 x 150 kV，100 A.上升和下降时间<90 ns。

6）HTS 61-03-HB-C， MOSFET推挽式开关。紧凑型系列，带选件GCF（接地冷却法兰
）。可变脉冲宽度从75 ns到无穷大。2 x 6 kV，30 A.上升和下降时间<6 ns。  
 

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